2023年10月31日，山东电子学会（以下简称“学会”）在线上组织召开了山东华光光电子股份有限公司研发的“十万瓦级面阵用808nm半导体激光器巴条研发及产业化”和“高光反馈抗性880nm激光器芯片关键技术及产业化”共两项成果的科技成果评价会。

会议由学会科技服务中心高国清主任主持，评价专家委员会由中国电子科技集团公司第十一研究所姜东升研究员、西南技术物理研究所王浟研究员、中国科学院半导体研究所苏小虎研究员、中国光学光电子行业协会程慧云高级工程师、长春理工大学薄报学教授五位专家组成，姜东升研究员担任主任委员。

会上，项目组依次展开了成果汇报，主要汇报了项目研制背景、研究方法与技术路线、成果的创新性和先进性、成果推广应用情况及其前景分析等方面内容。专家组在听取汇报后，向项目组质询提问，从成果的创新性、先进性及其效益等多个方面进行了评审，提出针对性的指导建议并对成果进行了综合评价。

成果介绍一 《十万瓦级面阵用808nnm半导体激光器巴条研发及产业化》

本研究项目通过高应变量子阱外延结构设计，提高了光电转换效率；通过采用多层应力补偿复合金属结构技术，提高了巴条散热能力，降低了器件应力及电阻；通过采用低应力腔面钝化及镀膜技术，降低了腔面光吸收，提高了激光器可靠性。

成果介绍二 《高光反馈抗性880nm激光器芯片关键技术及产业化》

本项目设计了非对称周期性调制波导结构，研究了MOCVD的低压生长工艺，突破了混合材料生长的限制，通过生长超晶格缓冲层，获得了高质量外延层；设计了高光反馈抗性腔面结构，采用先进、高效的腔面处理以及钝化技术，研发出880nm大功率激光器芯片，得到了高可靠性、长寿命以及高COD阈值的腔面钝化层；设计了多层金属结构，减少了发光区与周围温度差，降低了金属对反馈光的吸收，提高了输出功率及可靠性。